■10年專注工廠除靜電整體解決方案
? ? ? 全面解決企業(yè)靜電監(jiān)控及數(shù)據(jù)采集記錄難題
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1、人體放電模式(HBM)
當(dāng)然就是人體摩擦產(chǎn)生了電荷突然碰到芯片釋放的電荷導(dǎo)致芯片燒毀擊穿，秋天和別人觸碰經(jīng)常觸電就是這個(gè)原因。業(yè)界對HBM的ESD標(biāo)準(zhǔn)也有跡可循(MIL-STD-883C method 3015.7，等效人體電容為100pF，等效人體電阻為1.5Kohm)，或者國際電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(EIA/JESD22-A114-A)也有規(guī)定。如果是MIL-STD-883C method 3015.7，它規(guī)定小于<2kV的則為Class-1，在2kV~4kV的為class-2，4kV~16kV的為class-3。
2、機(jī)器放電模式(MM)
當(dāng)然就是機(jī)器(如robot)移動產(chǎn)生的靜電觸碰芯片時(shí)由pin腳釋放，次標(biāo)準(zhǔn)為EIAJ-IC-121 method 20(或者標(biāo)準(zhǔn)EIA/JESD22-A115-A)，等效機(jī)器電阻為0 (因?yàn)榻饘?，電容依舊為100pF。由于機(jī)器是金屬且電阻為0，所以放電時(shí)間很短，幾乎是ms或者us之間。但是更重要的問題是，由于等效電阻為0，所以電流很大，所以即使是200V的MM放電也比2kV的HBM放電的危害大。而且機(jī)器本身由于有很多導(dǎo)線互相會產(chǎn)生耦合作用，所以電流會隨時(shí)間變化而干擾變化。
3、元件充電模型 (Charged-Device Model, CDM)
此放電模式是指IC先因摩擦或其他因素而在IC內(nèi)部累積了靜電，但在靜電累積的過程中IC并未被損傷。此帶有靜電的IC在處理過程中，當(dāng)其pin去碰觸到接地面時(shí)，IC內(nèi)部的靜電便會經(jīng)由pin自IC內(nèi)部流出來，而造成了放電的現(xiàn)象。Charged-Device Mode靜電放電可能發(fā)生的情形。IC自IC管中滑出后，帶電的IC腳接觸接到地面而形成放電現(xiàn)象。
4、電場感應(yīng)模式(Field-Induced Model, FIM)
此FIM模型的靜電放電發(fā)生是因電場感應(yīng)而起的，當(dāng)IC因輸送帶或其他因素而經(jīng)過一電場時(shí)，其相對極性的電荷可能會自一些IC腳而排放掉，等IC通過電場之后，IC本身便累積了靜電荷，此靜電荷會以類似CDM的模式放電出來。
六大行業(yè)需求? 按需定制
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10年以上經(jīng)驗(yàn)研發(fā)團(tuán)隊(duì)、設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)為客戶提供整體靜電定制方案
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Six Major Industries' Demand Customization
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